- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11509 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisées par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H01L 27/11509
Brevets de cette classe: 90
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
42 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
8 |
| Intel Corporation | 45621 |
6 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
5 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 64 |
4 |
| Kepler Computing Inc. | 221 |
4 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
3 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
2 |
| Toshiba Corporation | 12017 |
1 |
| Texas Instruments Incorporated | 19376 |
1 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
1 |
| Rohm Co., Ltd. | 5843 |
1 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
1 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
1 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
1 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
1 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 1602 |
1 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
1 |
| Wuxi Petabyte Technologies Co., Ltd. | 11 |
1 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
1 |
| Autres propriétaires | 4 |